2022年07月03日 (周日)
SK海力士半导体创下垂直增建新纪录
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SK海力士半导体创下垂直增建新纪录
  • 朴泰熙 记者
  • 上传 2017.04.11 10:51
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图为SK海力士(Hynix)在世界上最早开发出的72层256Gb闪存(nand flash)存储芯片。[照片来源:SK海力士]

存储芯片行业在平面上增加存储数据的存储单元(Cell)的问题上存在局限性,于是一直通过纵向堆积的3D技术来扩展容量。例如SK海力士,48层是最高值。4月10日,该公司公布的技术是已经将存储单元提升至72层。通过这一技术,该公司开发出了实现256Gb容量的闪存存储芯片。

SK海力士宣传室解释称,“将存储单元提升至72层,将40亿个这样堆积的存储单元块在10元韩币硬币大小的面积上呈现出来”,“计划下半年将正式进行量产”。

之前三星电子堆积64层的存储单元、批量生产了256Gb的快闪内存芯片,而此次72层叠层的生产是首创。虽然三星电子去年年底开始了第四代产品即64层叠层快闪的批量生产,若海力士决定下半年开始72层叠层快闪的生产,两个公司之间3D快闪存储芯片的技术差距将缩减至一年之内。

256Gb快闪只要有一个芯片,就可以制作出32GB容量的存储装置。存储数据的单位有“比特(bit)”和“字节(byte)”,且“8比特=1字节”。32千兆字节容量的智能手机上,装置一个256千兆字节的快闪芯片就行了。

SK海力士还对外公布称,“我们可以最大限度地灵活使用现有的批量生产设备,比起现在正在批量生产的48层产品,其生产性能高出30%”。此外,芯片内部适用高速电路设计,速度提高两倍,阅读和书写性能也提高了20%左右。

得益于人工智能、大数据、云存储等,对3D快闪的需求正大大增加。市场调查机构Gartner预测,今年快闪芯片市场规模为465亿美元,2021年将达到565亿美元(约合64.5万亿韩元)。
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