2022年07月04日 (星期一)
三星电子开发出世界首个4GbDRAM
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三星电子开发出世界首个4GbDRAM
  • 金昌羽 记者
  • 上传 2009.01.30 08:09
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三星电子成功开发出世界上首个内存为4Gb的DRAM半导体。2007年6月三星公司开发出适用于60纳米工程的内存为2Gb的DDR2-DRAM之后,去年9月份又首次推出内存为2Gb的DDR3-DRAM。在五个月之内就开发出了内存为其2倍的新产品。数据处理速度可以达到1.6Gbps(相当于一秒内写或者读16亿个英文字母),比起一般的产品速度提升了20%。运行电压从1.5V(伏特)降到1.35V,电压降低产生的热量也少。

16个这种芯片集成的话就可以制造出内存为8Gb的PC用DRAM。这种内存就可以存储2000首mp3歌曲,或者两部DVD电影。这种芯片叠加集成的技术扩展的话也可以制造出32Gb模块。如果使用这种新型芯片制造大容量的DRAM的话就可以大大减小电力消耗。不仅因为单个芯片的耗电量降低了,在制造大容量模块时所需的芯片个数也减少了。

半导体市场调查公司IDC预测称DDR3-DRAM市场中,到2011年2Gb以上大容量的产品比重将从今年的3%增长到33%。
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