2022年07月04日 (星期一)
大规模投资之后迎来曙光的SK海力士
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大规模投资之后迎来曙光的SK海力士
  • 孙海容 记者
  • 上传 2013.11.21 14:40
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被SK集团收购之后创造大量顺差而被称为孝子的SK海力士在技术上也被认证为了全球顶级水平。

11月20日,SK海力士公司发布公告称,应用目前全球最细微的16nm工艺的64Gb MLC(multi-level cell)Nand闪存即将进入批量生产阶段。该技术是继今年6月全球首次应用16nm级技术生产第1代相关产品后,在缩小芯片尺寸之后推出的量产第2代产品。如果芯片体积缩小,用相同晶片(wafer)就会生产出更多芯片。也就是说,可通过该项技术在提高生产效率的同时降低产品价格。SK海力士同时还补充称“目前市面产品中容量最高的128Gb的Nand闪存也已经研发完毕,计划明年初进行批量生产”。  

根据半导体专门市场调查公司iSuppli的统计,以今年第2季度的销售额为基准,SK海力士在Nand闪存市场的占有率为14.7%,与去年第1季度(11.1%)相比增长了3.6个百分点,紧跟在市场份额排名第3位的Micron公司(15.9%)之后。而29.4%的DRAM市场份额也正在缩小与该领域龙头企业三星(32.9%)的差距。全球半导体行业一直以来在工艺细微化方面都进行着激烈角逐。三星在今年全球首次研发出以垂直方式排列存储空间的技术,并开始对128GbNand闪存进行批量生产。得益于Air Gap技术,SK海力士减小了芯片的体积大小。SK海力士相关负责人表示“我们可以自豪地说在细微工艺方面并不亚于三星电子”,“未来将加快3D Nand闪存的研发速度来积极满足消费者需求”。  

实际上,SK海力士在新产品发布或是批量生产上都会经常被贴上“第2位”的标签。然而,最近却接连被冠以“全球首次”的名衔。继今年6月全球首次研发8Gb的低电能(LPD)DDR3 DRAM之后,SK海力士在上月还首次成功生产出6Gb LPDDR3。去年在海力士营业亏损2270亿韩元的情况下,SK集团仍然在生产设备上投资3万8500亿韩元,这也是2007年以来的最大一笔金额。而这场战役以“史上最高营业收益”开始迎来曙光。SK海力士今年第3季度销售额和营业收益分别为4万零840亿韩元和1万1640亿韩元,继前一季度后再次在销量和收益两大方面取得历史最好成绩。  

明年之后,主打产品DRAM供过于求可能带来的价格下跌让海力士感到担忧。东洋证券研究员朴贤(音)对此说明称“随着明年第1季度淡季的出现以及中国无锡工厂正式投产,全球市场DRAM供给量或将增加”,“在无锡工厂火灾导致其它设备被挪用于DRAM生产的过程当中,Nand闪存的竞争力也可能减弱”。另一方面,Kiwoom证券研究员金成仁(音)则分析称“凭借半导体产业的寡头垄断以及较高的DRAM制造水平,预计SK海力士在明年将创造史上最佳业绩”。
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