与现有的30纳米级产品相比,20纳米级移动D存储器产品性能可提高50%左右。
在此次进行批量生产的20纳米级4Gb移动D存储器上经过4道工序制成的16Gb(2GB)产品与采用相同方式生产的30纳米级产品相比,其厚度减少了20%。
三星推出的20纳米级D存储器比竞争企业日本Elpida公司生产的30纳米级移动D存储器的速度将快33%。Elpida产品的厚度超过1毫米,但三星电子的产品却只有0.8毫米。如果移动D存储器的厚度变薄,就会减少在智能手机内所占有的空间,也会制造出更加轻薄的设计。
三星电子存储器事业部长洪完勋(副社长)表示称“继去年在业界率先批量生产30纳米级D存储器,今年通过20纳米级存储器的批量生产,在高端存储器市场上进一步展开差别化战略”。
根据市场调查企业isuppli的数据显示,预计从去年开始扩大市场份额的4Gb D存储器的市场占有率今年将达到13%,2013年为49%,2014年将到达63%,将逐渐成为主力产品。
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