三星电子、SK海力士今年将拿到一份15年来最差的经营成绩单，而对于这一成绩单，“明年将发生明显变化”的乐观展望正在抬头。据分析，随着人工智能(AI)服务器市场的正式打开，预计对高附加内存芯片的需求将达到历史最高水平。
11日，韩国金融投资业界一致上调了三星电子和SK海力士第四季度的业绩展望。也就是说，全球存储芯片行业排名第一、第二的两家企业明年有望扭亏为盈，再次进入年营业利润超过10万亿韩元的“繁荣周期”。
一些人预测，SK海力士将结束连续4个季度的营业赤字，今年第四季度将实现1000亿韩元左右的盈利。三星电子也有望在明年第一季度扭亏为盈。随着以高带宽存储器(HBM)和双数据速率(DDR5)等高附加值DRAM为中心的需求增加，“存储器的春天”即将到来。
这些产品是AI专用芯片和高性能服务器驱动的核心存储器。在三星电子、SK海力士、美光等“DRAM三巨头”中，三星电子和SK海力士两家公司在高附加值DRAM市场上所占比重超过80%，会成为这波市场需求主要覆盖的供应商。
作为高附加价值存储器的“蓄水池”，AI半导体市场规模预计到2027年将扩大到现在的9倍。据悉，不仅是AI芯片领头羊美国NVIDIA公司的H100，当地时间本月6日AMD作为“NVIDIA对抗者”推出的MI300系列也已确定搭载三星电子和SK海力士的HBM。这些芯片需要4-8个HBM。谷歌、亚马逊、微软等企业也将于明年正式开始为AI开发构建高性能计算系统。这些所有的都必须搭载新一代存储器。
HBM·DDR5的出现也改变了以往以小品种批量生产、通用产品为主的存储器市场。HBM是具有堆叠DRAM的结构，因此数据存储容量大，价格也比普通DRAM高出5倍以上。据悉，SK海力士最近在HBM等服务器用高容量DRAM业务上创下了接近30%的利润率。这超过了今年存储芯片平均利润率的两倍以上。半导体行业相关人士表示，“如果库存调整成功，两家公司明年可以迅速恢复超过50%的创纪录利润率”。
市场心理也开始回升。两年多来一直走下坡路的DRAM和NAND Flash固定交易价格最近连续两个月上涨。DRAM通用产品(DDR4)的平均固定交易价格从9月的1.3美元上涨至11月的1.55美元，上涨了19.2%。NAND Flash通用产品也在9个月后突破了4美元。Kiwoom证券研究员朴有岳(音)表示，“受流通库存正常化和减产影响，市场已转向了‘供应者优势’”。
市场调查机构Gartner预测，明年存储芯片市场将在AI服务器需求爆发的带动下增长66.3%。世界半导体市场统计机构(WSTS)预测明年存储器市场将达到1300亿美元(约171.6万亿韩元)，比今年增长40%。
KAIST电气电子工程系教授金祯浩表示，“短期内，三星和海力士将占据高附加价值DRAM新增需求的80%以上”，“但新一代存储器市场才刚刚开始打开，因此必须牢牢掌握技术主导权”。
