2023年01月27日 (星期五)
SK海力士全球首次成功研发128层4D Nand闪存
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SK海力士全球首次成功研发128层4D Nand闪存
  • 《中央日报》网络版
  • 上传 2019.06.27 09:35
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SK海力士宣布,公司已经在全世界率先成功研发出128层4D Nand闪存芯片,将从今年下半年(7月~12月)开始投入量产。新产品比以往96层4D Nand芯片的生产效率提高了40%。

6月26日,SK海力士宣布成功开发出“128层1Tb的TLC(Triple Level Cell)4D Nand闪存”,即将投入量产。距离公司在去年10月开发出96层4D Nand闪存芯片仅过了8个月时间。最近DRAM和Nand闪存等存储芯片的价格不断下降,SK海力士今年第一季度已经出现亏损,现在似乎打算在Nand闪存领域寻找新的突破口。

相比传统的3D Nand闪存工程,4D Nand闪存解决了芯片设计过程中最为困扰的面积问题,大大提高了生产效率。SK海力士表示,“新产品使用同样的4D平台,通过对工程进行最佳优化,在比96层产品增加了32层储存单元的情况下,还将全部的工程程序减少了5%”。

SK海力士计划从今年下半年开始正式开售128层4D闪存芯片,并接连推出各种产品解决方案。尤其是,SK海力士计划积极对云数据中心使用的企业级固态硬盘(SSD)、需要大容量存储芯片的5G移动通信智能手机市场展开攻略。

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