SK海力士宣布，公司已经在全世界率先成功研发出128层4D Nand闪存芯片，将从今年下半年(7月~12月)开始投入量产。新产品比以往96层4D Nand芯片的生产效率提高了40%。

6月26日，SK海力士宣布成功开发出“128层1Tb的TLC（Triple Level Cell）4D Nand闪存”，即将投入量产。距离公司在去年10月开发出96层4D Nand闪存芯片仅过了8个月时间。最近DRAM和Nand闪存等存储芯片的价格不断下降，SK海力士今年第一季度已经出现亏损，现在似乎打算在Nand闪存领域寻找新的突破口。

相比传统的3D Nand闪存工程，4D Nand闪存解决了芯片设计过程中最为困扰的面积问题，大大提高了生产效率。SK海力士表示，“新产品使用同样的4D平台，通过对工程进行最佳优化，在比96层产品增加了32层储存单元的情况下，还将全部的工程程序减少了5%”。

SK海力士计划从今年下半年开始正式开售128层4D闪存芯片，并接连推出各种产品解决方案。尤其是，SK海力士计划积极对云数据中心使用的企业级固态硬盘(SSD)、需要大容量存储芯片的5G移动通信智能手机市场展开攻略。