25日，三星电子在京畿道华城的极紫外线光刻(EUV)专用代工(半导体委托生产)设施V1生产线举行了全球首次应用全环绕栅极(GAA)技术的3纳米晶圆代工制程芯片的出厂仪式。三星电子从2000年代初开始研究GAA晶体管结构。三星电子的3纳米芯片批量生产比业界领头羊的中国台湾台积电(TSMC)领先一步。继存储器领域之后，三星电子又在晶圆代工领域奠定了第一的基础。图为当天相关负责人正在公开3纳米晶圆。【照片来源：NEWSIS】 查看其它新闻 版权归 © 韩国最大的传媒机构《中央日报》中文网所有，未经协议授权, 禁止随意转载、复制和散布使用
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