三星电子量产50纳米2Gb动态内存

2008-09-30 金昌佑记者

三星电子将比竞争公司提前6个月至1年时间开始批量生产小而快的动态内存。有评论认为这意味着三星电子已经掌握了内存芯片市场从DDR2升级为DDR3这一过程中的主导权。

29日，三星电子宣布将从下个月起采用50纳米制造工艺开始2Gb容量DDR3动态内存的批量生产。新产品数据传输速度最高为每秒1.3Gb，比现在的800Mb提高了50%。采用50纳米微细工艺，使得生产效率也提高了60％。

三星电子计划在生产服务器用8GB模块和高性能台式机、笔记本用4GB模块时优先使用新型芯片，因为新型芯片的体积得到了减小，可以用便宜的价格生产大容量的模块。

过去32个2Gb芯片才能组成一个8GB模块，需要经过堆叠的复杂过程。新型的芯片无需堆叠就可组成8GB内存，功耗节约40%，放热量也减少了。市场调查企业IDC预计，DDR3动态内存的比重明年将达到29%，2011年将会上升到75%。