1月2日，三星电子副会长李在镕（52岁）访问正在开发“全球第一个3纳米级半导体工艺”的京畿道华城半导体工厂，作为新年的第一个工作安排。

三星电子表示，李副会长当日前往京畿道华城工厂的半导体研究所，听取了关于3纳米（1纳米等于10亿分之1米）工艺技术的报告，并与半导体部门社长团讨论了新一代半导体战略。

当日李副会长听取汇报的3纳米级半导体工艺计划首先应用到三星的晶圆代工（foundry）工程之中。三星计划明年下半年在全球最早实现3纳米级芯片的批量生产。

三星电子计划利用极紫外光刻（EUV）工艺，提高公司在7纳米以下精细工程市场的份额。

三星电子将在最新的3纳米工程中使用不同于其他工程的新一代工艺“GAA”。三星电子负责半导体产业的设DS部门表示，基于GAA工艺的3纳米芯片面积可以比最近完成开发的5纳米产品缩小35%以上，耗电量减少50%，性能（处理速度）可提高30%左右。