2022年07月04日 (星期一)
三星电子开发出40纳米制程混合存储器
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三星电子开发出40纳米制程混合存储器
  • 金昌羽 记者
  • 上传 2009.03.11 08:21
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3月10日,三星电子发布了40纳米(1纳米=十亿分之一米)制程、容量为8Gb的“FLEX-OneNAND”闪存。该芯片是把高速“SLC NAND Flash”和大容量的“MLC NAND Flash”存储器相结合的混合存储设备。

SLC应用于移动设备开机后运行软件时,MLC则用于音乐和视频的储存。“OneNAND”把这两种芯片合二为一,而“FLEX-OneNAND”是“OneNAND”的升级版。二次开发企业可以根据移动产品的用途自由定制SLC和MLC闪存的比例,这是FLEX-OneNAND的特性。

FLEX-OneNAND读写数据的速度约为现有的NAND闪存(16Gb MLC)产品速度的4倍。

作为混合存储器,三星的8Gb“FLEX-OneNAND”产品首次选用了40纳米超精密制程,与现有的60纳米制程、4Gb的产品相比,生产性高三倍左右。该产品将从本月下旬开始投入生产和销售。三星电子为了强化市场的主导权,计划把今年混合存储器的生产量提高到去年的2倍。

市场研究机构iSuppli预测,NAND闪存市场将由今年的89亿美元扩大到2012年的148亿美元。
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