2024年03月28日 (周四)
三星电子全球首个“10纳米第二代DRAM”实现量产
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三星电子全球首个“10纳米第二代DRAM”实现量产
  • 朴泰熙 记者
  • 上传 2017.12.21 14:51
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图为三星电子开始投入量产的10纳米级第二代DRAM。(图片来源:三星电子)

三星电子成为了全球存储芯片领域首个成功实现10纳米级第二代DRAM量产的企业。三星电子12月20日在首尔中区太平路召开说明会,表示“从上月起开始第二代产品的量产”。

这期间,半导体行业一直在为如何进一步紧密排列一片晶圆上的电路而展开了激烈的技术升级竞争。三星电子曾在去年2月推出了全球首款第一代10纳米级(1纳米=1米的10亿分之一)产品。

此次推出的新产品之所以被命名为第二代,是因为虽然同为10纳米级,但在生产工序上却大量使用了新技术,提高了生产效率。

比起上一代产品,新产品的数据读取速度提高了10%以上,耗电量减少了15%以上。通过精密确认存储单元上存储的数据,数据读取性能提高了两倍之多。在过去,通电的电路周围是通过填满特定物质实现绝缘,而如今则改用了空气,采用“气隙”(air gap)技术,提高绝缘效果。

三星电子当天表示,“为了满足服务器、手机、制图等方面不断提高的DRAM需求,除了部分生产线外,其他所有生产线正在全面向第二代产品量产体系转变”。

三星电子在全球DRAM市场上的占有率为45.8%,稳居世界第一。三星电子内存事业部社长秦教英表示,“我们将以此次新产品的量产为契机,通过10纳米级产品,实现向高端DRAM市场的全面转换,从而进一步确保领先的竞争优势”。

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