韩国海力士公司第一次在40纳米级别的超微工程中开发出了生产DDR3-DRAM内存的技术。此前，三星公司开发出了DDR2-DRAM内存，首次开创了全新的40纳米半导体时代。而现在，海力士公司也加入到了这一行列当中。这一技术领先别国的竞争企业两到三年。

8日，海力士公司宣布40纳米产品1GB容量的DDR3-DRAM将于今年3季度开始量产。与DDR2内存条相比，去年首次进入市场的DDR3内存条存储速度更快，预计将于明年上半年成为DRAM领域的主力产品。三星电子预计将利用生产40纳米DDR2内存的技术，在今年第三季度开始生产2GB大小的40纳米DDR3内存。

在半导体产业当中，微细工程的技术是竞争力的源泉。与过去的50纳米产品相比，韩国企业的40纳米DRAM的生产性能提高了50%到60%。不仅如此，现在全世界生产50纳米产品的工厂只有三星电子和海力士。今年下半年，一旦40纳米产品工厂开始投入使用，那么与仍然在生产60纳米至70纳米产品的外国企业相比，两家企业的领先优势将进一步扩大。

有评论认为，韩国半导体生产企业的资金面的情况也相对良好。三星电子半导体部门虽然在去年第四季度出现了赤字，但是经营亏损率只有14%，全年仍然实现了盈利。海力士公司去年出现了1万9000亿韩元的经营损失，但最近通过借入资金以及出售股份融资8240亿韩元，而且公司计划通过卖出部分设备等措施，再融资1万亿韩元。

相反，上个月世界排名第5位的半导体企业德国奇梦达公司申请破产。而排名第3位的日本尔必达公司去年4季度的营业损失率达到93.7%，该公司目前正在讨论是否向政府申请总额为500亿日元的公共资金援助。台湾的南亚科技公司去年第四季度的经营损失率达到105%，台湾当局准备了700亿新台币用以援助境内的DRAM企业。