2022年07月07日 (周四)
三星成功研发40纳米动态内存芯片
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三星成功研发40纳米动态内存芯片
  • 金昌羽 记者
  • 上传 2009.02.05 13:58
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近日,三星电子率先研发出了采用40纳米制程工艺的动态随机存储器(DRAM)制造技术。在2000年150纳米技术研发成功后的10年中,三星一共创造了8次“世界首次”的纪录。

世界半导体市场正处在困境之中。世界第5大厂商德国奇梦达(Qimonda)未能经受住残酷竞争的考验,终于在上个月提交了破产申请。此次技术公布显示了三星电子以绝对技术优势渡过难关的意志。在NAND闪存领域,三星电子从去年年底开始进入了采用42纳米制程工艺、大小为16G的产品的生产,预计将从下半年开始大量生产采用30纳米制程工艺的32G产品。

通过开发40纳米制程工艺,三星电子和国外竞争公司在技术上拉开了约2年的距离。三星从去年第3季度开始生产50纳米制程工艺的DRAM芯片,而日本厂家尔必达(Elpida)今年上半年才能生产相同级别的芯片。美国的美光(Micron)仍然坚守在落后1个等级的60纳米制程工艺上。只有位居世界第2的内存厂商海力士(Hynix)半导体从去年5月份开始采用了50纳米制程工艺。台湾力晶半导体(Powerchip)、茂德科技(ProMOS)等厂商还处于希望从海力士(Hynix)或尔必达(Elpida)等企业引进60纳米技术的阶段。

韩国厂商们在萧条时期进行突破性技术开发,显示了他们在困难时期拉开距离的意志。只有迅速具备大量生产体制才能在市场好转后掌握主导权,快速供应大量价格竞争力强的产品。实际上,越来越多的观点认为半导体产业已经跌落到谷底。台湾半导体调研公司集邦科技(DRAMeXchange)统计显示,去年12月份跌至0.6美元的1G大小的DRAM终于在当天恢复到四个月前的1美元以上,一年半内暴跌至1/10的DRAM价格终于反弹,在去年年底跌至1.7美元的16G大小的Nand闪存价格也在最近恢复到3美元以上。虽然大部分人认为市场需要不会很快扩大,快速上升仍然困难,但是不论如何韩国厂商将不会受到损害了。
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