三星电子10月20日宣布,三星已领先全球半导体业界率先成功量产20纳米8Gb DDR4服务器用DRAM。DRAM从DDR1发展到DDR2、DDR3再到DDR4,每进化一步数据处理速度就会变快2倍,电力效率随之提高10~30%。
继电脑和移动设备之后,三星又成功将20纳米工程适用到服务器DRAM上,再次展示了三星在半导体领域领先世界的技术能力。三星电子今年3月量产全球首款20纳米电脑用DRAM,9月又成功量产用于智能手机和平板电脑等移动设备的20纳米DRAM。
三星的20纳米DDR4服务器用DRAM性能比原来的DDR3基础模块快30%左右,驱动电压也只有1.2伏特(V),仅相当于DDR3(1.5V)的80%。三星电子储存体事业部的白智浩(音)常务表示“20纳米8Gb DDR4 DRAM满足构建新一代服务器系统所必须的‘高性能、高容量、低耗电’三个要素”。
版权归 © 韩国最大的传媒机构《中央日报》中文网所有,未经协议授权, 禁止随意转载、复制和散布使用