三星电子为占领茁壮生长手机市场而展开迅猛攻势，这次是半导体。9月18日三星电子表示，在世界上首次开始适用于“20纳米工序”的6Gb移动DRAM大量生产。今年3月在业界首次开始大量生产20纳米级电脑专用DRAM大量生产后，时隔六个月后又最先推出了手机专用DRAM。由此，三星电子在抢先占领智能手机、平板电脑和可穿戴机器等迅速发展的高性能移动市场上又占领有利先机。

移动DRAM是可以与相当于手机“大脑”的应用处理器(AP)迅速传送和处理数据的半导体。所谓20纳米，在DRAM芯片里的电路之间的间隔只有20纳米(1纳米=10亿分之一米，相当于头发丝直径的十万分之一)。电路间隔越小，越能减小整体芯片的大小，因此相同大小的生产线上可以生产出更多的芯片。因此，20纳米移动DRAM比现有的25纳米级要小，但可以节电10%以上，生产性提高30%以上。在一个芯片里可以放入更多的电路，因此存储容量也会增加。

数据处理速度自然也更加快速。三星电子存储器事业部营销组长白志鎬（音）说“这是能引领正在迅速扩大的高性能移动DRAM市场的产品”。

率先占领移动DRAM市场的原因与市场和产业的大规模变化有关。

20世纪80年代初期，与电脑产业一同起步的世界DRAM半导体市场去年第三季度移动DRAM超越电脑用DRAM。这是随着智能手机和平板电脑迅速普及开始的。

位居DRAM市场世界首位的三星电子将2010年达到53%的电脑用DRAM生产缩减到去年的22%，将只有17%的移动DRAM生产比重提高到39%。

预计SK海力士今年的电脑用和移动用DRAM的比重将会分别逆转为28%和34%。

其结果在今年第二季度世界移动DRAM半导体市场上“韩国称霸”。三星电子以45.4%的占有率保持第一位，SK海力士的市场占有率达到30%，打败美国Micron，时隔半年成功夺回第二位。在移动DRAM市场上，韩国企业的市场占有率高达75.5%，美国(22.6%)或台湾(2%)企业甚至拉响了“韩国空袭警报”。

三星电子将会从明年开始大幅增加20纳米DRAM生产量维持第一位，持续给Winbond、南亚和Powerchip等占有率为1~3%左右的小规模企业造成巨大压力。