SK海力士此次发布的产品是20纳米级8Gb DDR4基础128GB模块。使用硅贯通电极(TSV)技术,制造出现有最高容量64GB两倍的容量。所谓TSV,是指将两个以上的芯片垂直摞在一起连接的方式,这不但可以提高性能,同时还可以缩减体积。
在速度方面上,拥有比现有DDR3数据传输速度1333Mbps更快的2133Mbps的速度。每秒可以处理17GB的数据。这可以将四部4GB容量的DVD电影在一秒内下载下来。工作电压也从现有DDR3的1.35V降到1.2V,可以减少电力消耗。SK海力士计划从明年上半年开始批量生产该产品。
SK海力士 DRAM开发本部长洪性柱表示“未来也会持续开发高容量、超高速和低电力产品,将会主导高端DRAM市场”。
根据市场调查机关Gartner消息称,随着最近移动通信市场规模逐渐增大,预计处理移动通信数据的服务器用DRAM到2018年为止会持续达到年平均37%的高增长。预计DDR4 DRAM从明年开始将会正式进驻市场,在2016年以后将会成为市场的主导产品。
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