三星电子本月24日表示，将在世界上最早批量生产使用40纳米级生产工程的4GbDDR3动态内存(DRAM)。这距离去年7月份开始批量生产40纳米级2GbDDR3动态内存后仅有7个月。搭载该半导体的服务器（中型计算机）以及台式、笔记本个人电脑将比之前产品的主存储量增加一倍。

金东守副社长解释称：“使用超节电技术的主存储量增加了，但是耗电量却降低了。为需要大容量存储器的服务器以及个人电脑提供了高性能、低电力的存储解决方案，这点非常有意义。”如果是使用96Gb容量的动态存储的服务器，搭载40纳米级4GbDDR3动态内存的产品要比40纳米级2GbDDR3动态内存模型的耗电量最多可减少35%。三星电子计划在上半年内将把在服务器和个人电脑用动态内存中的40纳米级DDR动态内存供应比率提高到90%以上。

该公司上月曾表示，已开发了与40纳米级相比更先进的30纳米级生产工程技术，下半年将开始进行批量生产。

☞◇纳米(nano)

1纳米等于十亿分之一米。纳米工程的数字越小，回路幅就越小，300mm晶圆（wafer）中就可以生产更多的半导体。