世界最大的存储半导体企业三星电子成功完成了制造线路宽为30纳米ＤＲＡＭ的生产工程。三星电子1日称，上月作为半导体原件工程的线路宽度为30纳米的2GB内存芯片ＤＲＡＭ的技术开发成功完成，计划下半年投入批量生产。据此，三星电子继2000年推出150纳米的工程技术之后，10年内连续九次在这个领域创造了“世界最早”的记录。

三星电子在报道中称：“之前以为在ＤＲＡＭ的单元构造上现在的生产工程40纳米级的ＤＲＡＭ技术就是极限了，但我们用了1年时间将此攻克了。”

30纳米工程技术会直接提高生产率。30纳米级ＤＲＡＭ比40纳米级的生产率要高60%，而原价竞争力则是50-60纳米级ＤＲＡＭ的两倍以上。这次开发的30纳米级ＤＲＡＭ比50纳米级的耗电量要少30%左右，具备了最近一直倡导的环保产品的品质。

三星电子的战略是以30纳米工程技术和竞争企业拉开更大的技术差距。综观世界存储企业，只有海力士半导体从去年11月开始批量生产40纳米级的ＤＲＡＭ。日本和中国台湾的企业目前还停留在50纳米到60纳米的水平。

微工程开发的前景是20纳米。物理学界认为，10纳米工程在现实上也是可能的。目前主流观点认为，要比10纳米更细的话，必须使用其他材料进行存储，而不是硅。

☞Nano=1纳米是十亿分之一米。