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三星研发世界首款第五代V Nand投入量产

李尚载 记者 | 2018.07.11 10:33写信给编辑
图为三星电子研发的第五代Nand Flash试验品,本月起已在京畿道平泽工厂投入批量生产。

三星电子正式开始批量生产第五代三维(3D)V Nand闪存。这是三星电子自2016年12月开始批量生产第四代256Gb Nand(如图)后时隔1年零7个月再次升级的新一代产品。7月10日,三星电子发布公告称将批量生产全球首款256Gb的第五代V Nand,该产品能够更快地数据处理的同时和减少电耗。

三星电子还在第五代V Nand上首次使用了被称为新一代Nand交界面的“Toggle DDR 4.0”规格。新产品的数据处理速度达到每秒1.4Gb,比第四代快40%。启动电压减少了33%(1.8→1.2V),数据使用时间(500微秒)也加快了30%。

第五代V Nand的“三维(圆筒形)CTF 存储单元(Cell)”层数超过90多层。闪存的层数越高,在实现统一容量方面需要的芯片就越少。这个道理就等同于在相同的占地面积上,建高层公寓比建单独住宅的利用效率更高一样。现有的第四代闪存在平面基板上搭建了64层存储单元。该公司将闪存从最上端到最下端垂直钻出了数百纳米直径的细微小孔,大大提高了稳定性与效率性。

三星在京畿道平泽工厂生产第五代V Nand采取的方针是根据市场状况增加供给量。考虑到东芝、WDC、镁光等竞争公司是以第四代64~72层产品为主力军,三星电子则是在“拉开差距”上取得了大成功。业界内评价称,三星电子的该项突破比其他公司提前了大约两年。中国计划今年批量生产32层的3D Nand,相当于第二代闪存技术。根据市场调查机构——全球半导体观察(DRAMeXchange)的资料显示,三星电子在今年第一季度创下了37%的Nand Flash占有率。经预测,在Nand Flash的价格持续下降趋势中,三星电子有望为保持该类产品的收益性做出贡献。

该公司Flash开发室长景季贤(音)表示,“今后我们将通过一块半导体芯片中储存超过一万亿个信息的1Tb V Nand与一个存储单元中含4bit的QLC产品扩大半导体产品阵容,主导市场变化”。



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