图为SK海力士（Hynix）在世界上最早开发出的72层256Gb闪存（nand flash）存储芯片。[照片来源：SK海力士]

存储芯片行业在平面上增加存储数据的存储单元（Cell）的问题上存在局限性，于是一直通过纵向堆积的3D技术来扩展容量。例如SK海力士，48层是最高值。4月10日，该公司公布的技术是已经将存储单元提升至72层。通过这一技术，该公司开发出了实现256Gb容量的闪存存储芯片。

SK海力士宣传室解释称，“将存储单元提升至72层，将40亿个这样堆积的存储单元块在10元韩币硬币大小的面积上呈现出来”，“计划下半年将正式进行量产”。

之前三星电子堆积64层的存储单元、批量生产了256Gb的快闪内存芯片，而此次72层叠层的生产是首创。虽然三星电子去年年底开始了第四代产品即64层叠层快闪的批量生产，若海力士决定下半年开始72层叠层快闪的生产，两个公司之间3D快闪存储芯片的技术差距将缩减至一年之内。

256Gb快闪只要有一个芯片，就可以制作出32GB容量的存储装置。存储数据的单位有“比特（bit）”和“字节（byte）”，且“8比特=1字节”。32千兆字节容量的智能手机上，装置一个256千兆字节的快闪芯片就行了。

SK海力士还对外公布称，“我们可以最大限度地灵活使用现有的批量生产设备，比起现在正在批量生产的48层产品，其生产性能高出30%”。此外，芯片内部适用高速电路设计，速度提高两倍，阅读和书写性能也提高了20%左右。

得益于人工智能、大数据、云存储等，对3D快闪的需求正大大增加。市场调查机构Gartner预测，今年快闪芯片市场规模为465亿美元，2021年将达到565亿美元（约合64.5万亿韩元）。