近日，三星电子率先研发出了采用40纳米制程工艺的动态随机存储器（DRAM）制造技术。在2000年150纳米技术研发成功后的10年中，三星一共创造了8次“世界首次”的纪录。

世界半导体市场正处在困境之中。世界第5大厂商德国奇梦达（Qimonda）未能经受住残酷竞争的考验，终于在上个月提交了破产申请。此次技术公布显示了三星电子以绝对技术优势渡过难关的意志。在NAND闪存领域，三星电子从去年年底开始进入了采用42纳米制程工艺、大小为16G的产品的生产，预计将从下半年开始大量生产采用30纳米制程工艺的32G产品。

通过开发40纳米制程工艺，三星电子和国外竞争公司在技术上拉开了约2年的距离。三星从去年第3季度开始生产50纳米制程工艺的DRAM芯片，而日本厂家尔必达（Elpida）今年上半年才能生产相同级别的芯片。美国的美光（Micron）仍然坚守在落后1个等级的60纳米制程工艺上。只有位居世界第2的内存厂商海力士（Hynix）半导体从去年5月份开始采用了50纳米制程工艺。台湾力晶半导体（Powerchip）、茂德科技（ProMOS）等厂商还处于希望从海力士（Hynix）或尔必达（Elpida）等企业引进60纳米技术的阶段。

韩国厂商们在萧条时期进行突破性技术开发，显示了他们在困难时期拉开距离的意志。只有迅速具备大量生产体制才能在市场好转后掌握主导权，快速供应大量价格竞争力强的产品。实际上，越来越多的观点认为半导体产业已经跌落到谷底。台湾半导体调研公司集邦科技（DRAMeXchange）统计显示，去年12月份跌至0.6美元的1G大小的DRAM终于在当天恢复到四个月前的1美元以上，一年半内暴跌至1/10的DRAM价格终于反弹，在去年年底跌至1.7美元的16G大小的Nand闪存价格也在最近恢复到3美元以上。虽然大部分人认为市场需要不会很快扩大，快速上升仍然困难，但是不论如何韩国厂商将不会受到损害了。