三星电子成功开发出世界上首个内存为4Gb的DRAM半导体。2007年6月三星公司开发出适用于60纳米工程的内存为2Gb的DDR2－DRAＭ之后，去年９月份又首次推出内存为2Gb的DDR3-DRAM。在五个月之内就开发出了内存为其2倍的新产品。数据处理速度可以达到1.6Gbps（相当于一秒内写或者读16亿个英文字母），比起一般的产品速度提升了20%。运行电压从1.5V（伏特）降到1.35V，电压降低产生的热量也少。

16个这种芯片集成的话就可以制造出内存为8Gb的PC用DRAM。这种内存就可以存储2000首mp3歌曲，或者两部DVD电影。这种芯片叠加集成的技术扩展的话也可以制造出32Gb模块。如果使用这种新型芯片制造大容量的DRAM的话就可以大大减小电力消耗。不仅因为单个芯片的耗电量降低了，在制造大容量模块时所需的芯片个数也减少了。

半导体市场调查公司IDC预测称DDR3-DRAM市场中，到2011年2Gb以上大容量的产品比重将从今年的3%增长到33%。