超高速DRAM使三星电子的半导体技术进一步得到进化。三星电子1月19日宣布正式开始比现在的DRAM提速7倍的第二代“4GB HBM2 DRAM ”。 　

DRAM是协助计算机的大脑CPU在进行演算时写入和抹除数据的设备，DRAM的数据处理速度越高，电脑的性能也会得到相应提高。

三星电子计划通过量产4GB HBM2应对高性能计算（HPC）、高性能显卡等信息技术（IT）设备的需求。 　

三星电子消息称，这一新产品使用了在DRAM芯片上打穿5000多个小孔进行上下连接的硅通孔（TSV）技术，与以往利用金线连接上下层的方式相比，数据通道更多，可以提高处理速度。4GB HBM DRAM每秒可传输256GB信息，比同属4GB级别的GDDR5处理数据的速度快7倍。