三星电子存储器事业部闪存开发室室长崔定赫(专务)当天在首尔三星电子瑞草本部举行媒体说明会介绍称“三星电子开展存储器业务30年就创造半导体事业新的转折点”。当天展示的“V闪存”容量为129Gb(gigabit),与今年4月投入批量生产的产品相同,但产品技术却与从前的产品完全不同。截至目前,半导体业界为了提高闪存集成度,一般都在竞相引进10纳米级工艺技术。但随着隔离电子储存数据的单元格间距缩小,引发了严重问题,电子突破壁垒肆无忌惮进入其它单元格的“干涉现象”逐渐严重。
三星通过类似建筑高层楼房的模式,通过立体堆积单元格的方式解决了这一问题,将之前扁平形态的单元格一圈圈围绕,然后以3维垂直方式进行累积,从而让干涉问题不再出现。当天公布的批量生产产品为24层结构。从理论上来说,如果层数增加,储存器的容量将能够无限扩展。如果容量能够像现在一样不断增大,预计5年之内,笔记本电脑上将可以安装用于超级计算机的1兆兆位(terabit,Tb)级存储器。
得益于立体的设计,储存器的使用速度也提高了2倍以上。同时,在不同产品中,决定单元格寿命的最大使用次数(耐久年限)也分别提高了2倍至10倍以上。
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