三星电子本月底率先量产40纳米制程DRAM
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三星电子本月底率先量产40纳米制程DRAM
  • 沈载祐 记者
  • 上传 2009.07.22 13:30
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7月21日,三星电子宣布开发出40纳米(1纳米为十亿分之一米)制程的新一代存储器2Gb DDR3 DRAM,并将于本月底开始量产。与去年9月三星在全球率先开始量产的50纳米制程的产品相比,新产品的生产性高60%左右。

从开发到量产的所需要的1年6个月的准备时间也大幅缩短,该公司自1月份开发出40纳米制程的DRAM的6个月后就投入量产。有评价称三星电子与还停留在60纳米水平的美国Micron Technology等竞争公司的技术差异进一步扩大。韩国国内也只有海力士半导体这样的企业具备40纳米级DRAM的技术。海力士计划在第三季度中旬量产1Gb DDR3,在第4季度量产2Gb DDR3。

三星电子的40纳米制程2Gb DDR3 DRAM在1.35V的工作电压下也能实现1.6Gbps(每秒1600MB)的数据处理速度,比现有的1.5V产品快20%。另外,该产品耗电量少,比较环保。
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