7月21日，三星电子宣布开发出40纳米（1纳米为十亿分之一米）制程的新一代存储器2Gb DDR3 DRAM，并将于本月底开始量产。与去年9月三星在全球率先开始量产的50纳米制程的产品相比，新产品的生产性高60%左右。

从开发到量产的所需要的1年6个月的准备时间也大幅缩短，该公司自1月份开发出40纳米制程的DRAM的6个月后就投入量产。有评价称三星电子与还停留在60纳米水平的美国Micron Technology等竞争公司的技术差异进一步扩大。韩国国内也只有海力士半导体这样的企业具备40纳米级DRAM的技术。海力士计划在第三季度中旬量产1Gb DDR3，在第4季度量产2Gb DDR3。

三星电子的40纳米制程2Gb DDR3 DRAM在1.35V的工作电压下也能实现1.6Gbps（每秒1600MB）的数据处理速度，比现有的1.5V产品快20%。另外，该产品耗电量少，比较环保。