2022年12月06日 (周二)
三星电子:2027年量产1.4纳米制程工艺
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三星电子:2027年量产1.4纳米制程工艺
  • 李东炫 记者
  • 上传 2022.10.05 19:26
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三星电子宣布,2027年将批量生产采用1.4纳米(1纳米约等于十亿分之一米)制程工艺的晶圆代工(半导体委托生产)。也就是说,以今年6月3纳米为开端,通过技术革新,正式迈出了追赶世界晶圆代工第一的台湾台积电(TSMC)的步伐。

当地时间3日,三星电子在美国加利福尼亚州硅谷举行了“三星晶圆代工论坛2022”,公布了今后晶圆代工业务的发展蓝图及新技术应用计划。本次活动因受新冠肺炎疫情影响时隔3年再次在线下举行,有500余人参加,主要来自无晶圆厂(Fabless,只从事半导体设计的企业)以及合作公司。

【图表:朴景民 记者】
【图表:朴景民 记者】

三星电子晶圆代工事业部长(总经理)崔时荣表示,“将继续进行基于全环绕栅极(GAA:Gate All Around)的工艺技术革新,计划在2025年和2027年分别启用2纳米和1.4纳米制程工艺”。全环绕栅极是提高在半导体内部控制电流流动的晶体管的效率的新一代工艺技术。与现行“鳍式场效应晶体管”(FinFET)工艺技术相比,电流流动通道增多,可以更快地传达更多的数据。

三星电子从今年6月开始在全球首次批量生产3纳米制程工艺。之前虽曾宣布过通过工艺革新实现2纳米等新半导体批量生产的计划,但宣布量产1.4纳米芯片的发展蓝图尚属首次。继三星之后,开始批量生产3纳米制程芯片的台积电有望在2027年以后引进1.4纳米制程工艺。三星电子本次关于量产1.4纳米芯片的官宣表明,在尖端微细工艺技术竞争中可以较台积电领先一步,因此具有重要意义。同时,三星电子还提出到2027年将除手机以外的产品群销售份额提高至50%以上的目标。具体而言,将扩大高性能计算(HPC:High Performance Computing)、车载(automotive)芯片、物联网(IoT)等产品的组合。

三星电子计划将4纳米制程工艺扩大至HPC及车载芯片,在嵌入式非易失性内存(eNVM)、射频(RF)等方面也将积极开发多种工艺。目前量产中的28纳米车载eNVM解决方案将于2024年升级至14纳米,继8纳米射频工艺之后正在研发5纳米工艺。

三星电子还计划,5年之内将尖端工艺产能提升至今年的3倍以上。为此,计划通过“Shell First”方式将正在建设的美国德克萨斯州泰勒市代工厂生产线增至2条。Shell First是指先建设生产半导体的洁净室(Clean Room,无尘或无菌的半导体设施),从顾客那里接到订单后就投入设备进行生产的模式。三星电子还将扩大客户定制化服务,计划通过强化具备快速交货和价格竞争力的定制服务来开发新的无晶圆厂客户,同时还将积极开发大规模数据运营商“Hyperscaler”、创业公司等新客户。

崔时荣表示,“客户的成功就是三星电子晶圆代工事业部存在的理由”,“三星电子作为开创更美好未来的合作伙伴,将成为代工产业的新标准”。三星电子当天举行了晶圆代工论坛,4日举行了客户支援项目“SAFE论坛”,5日举行了介绍新技术的“技术日”活动。本次晶圆代工论坛将以美国为起点,依次在欧洲(7日,德国慕尼黑)、日本(18日,日本东京)、韩国(20日,首尔)举行。

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