中国工厂比重较大的三星和SK受挫
要以“Chip4同盟”协作精神解决问题
在中美半导体霸权竞争中，美国提出了两种应对方案，一是制定“半导体产业培育法案”，二是成立“Chip4同盟”。只有同时考虑这两点，才能准确把握美国的意图。半导体产业培育法案的目的是在美国建立充足的半导体工厂，提高美国的制造能力。而其中吸引韩国和台湾地区半导体企业对美国将起到很大帮助。
Chip4同盟则具有很强的以美国为中心、主导芯片供应链的协议机制性质，直到半导体制造据点在美国一定程度上稳定下来。目前还没有关于Chip4同盟的具体指导方针，预计今后将在美国主导下，与相关国家在政府层面进行个别讨论。
美国于8月9日确定了半导体产业培育法，更准确地说，是《芯片与科学法》。仅从半导体相关内容来看，美国国内将拨款390亿美元支援半导体设施建设，110亿美元用于研究及劳动力开发等，共拨款520亿美元对半导体产业进行支援。根据该法案，对于在美国建设半导体工厂的全球企业，将适用25%的税额减免优惠。韩国的三星电子、SK海力士、台湾地区的台积电(TSMC)、联电(UMC)等都是受惠对象。
但其中存在问题条款。法案中包括接受美国政府补贴的企业往后十年禁止在中国增设尖端半导体制造工厂或新建工厂等内容。若违反该规定，就要全额返还所获补贴。
获得补贴的企业今后10年在半导体晶圆代工(委托生产)领域无法在中国新投资28纳米以下的尖端技术，其中包括台湾地区的TSMC和UMC等中国当地事业。TSMC目前在中国南京运营16纳米制程工艺的12英寸晶圆代工厂，可能会立即受到影响。另外，美国企业英特尔和美光也分别在成都和西安设有后道工艺工厂，因此同样会受到影响。
美国商务部今后将另行制定与韩国企业相关的存储芯片和封装(后道工艺)的中国投资限制标准。根据包含什么样的规制，韩国企业今后会比台湾企业受到更大的打击。这是因为不同于台湾企业，韩国三星和SK海力士目前在中国的存储器产量很多。
三星2014年在中国西安设有NAND闪存工厂、在苏州设有半导体后道工艺(测试、包装)工厂，占据着全球NAND闪存产量的15%(三星产量的40%左右)。SK海力士从2006年开始在无锡设有DRAM工厂，占据全球DRAM产量的15%(海力士产量的50%左右)，去年年末收购的英特尔NAND工厂设在大连，并在重庆设有后道工艺工厂。三星电子和SK海力士工厂从半导体原材料到生产、后道工艺都紧密交织在一起，而且最近仍在追加投资以增设设备及更换老旧设备等。
如果不能持续更换进军中国的韩国半导体工厂的尖端设备，通过精细化的制程加工工艺、稳定的Ramp-up(扩大生产力)来提高收益率将难以实现，最终只能制造低配置产品，从而导致产品竞争力下降。这相当于要求关闭中国国内的半导体工厂。此举还可能会导致美国苹果(富士康)、惠普、戴尔(PC)等美国成品企业的损失，问题并不简单。
韩国加入Chip4同盟似乎是不可避免的。韩国企业拥有美国的原创技术，并通过半导体设计、制造为全世界产业发展作出贡献，中国也从中受益。中国不能以巨大市场为武器反对韩国加入Chip4同盟。同样的逻辑，美国也不能反对在中国增设半导体工厂和新投资。优秀的技术要通过产业发展来为全世界作出贡献。
韩国政府的作用非常重要。在参加Chip4同盟预备会议讨论中，应该积极向美国转达该问题的严重性，并寻找方法。只要发挥Chip4同盟的协作精神，问题应该就能得到解决。
