2022年12月10日 (周六)
美考虑对中国存储企业进行制裁 韩三星电子和海力士或受打击
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美考虑对中国存储企业进行制裁 韩三星电子和海力士或受打击
  • 崔恩京(音) 李圣浩 记者
  • 上传 2022.08.03 17:50
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图为中国长江存储科技2020年4月宣布研发成功并公开的128层NAND闪存产品。【照片来源:长江存储科技官网截图】
图为中国长江存储科技2020年4月宣布研发成功并公开的128层NAND闪存产品。【照片来源:长江存储科技官网截图】

韩国专家分析称,如果限制向中国国内存储芯片制造企业出口美国产半导体设备的措施成为现实,那么在中国设有工厂的韩国半导体企业从中长期来看将遭受相当大的打击。首尔大学材料工学部客座教授黄哲盛2日在接受本报的通话采访时观测称,“如果禁止向中国出口NAND闪存设备,在中国开设工厂的三星电子和SK海力士的生产必然会出现差池”,“由于已经禁止进口极紫外线光刻(EUV)设备,因此拥有DRAM工厂的SK海力士在生产新一代产品方面将面临困难”。黄哲盛教授接着补充道,“即使转换为传统工艺(Legacy)加工设备,但若不能维护和维修设备,最坏的情况可能会面临撤场危机”。

三星电子在中国西安设有NAND闪存工厂,在苏州设有测试、包装(后道工艺)工厂。SK海力士在中国无锡设有DRAM工厂、在重庆设有后道工艺工厂、在大连设有NAND工厂。

韩国半导体业界对此反应慎重。一位不具名的业界相关人士表示,“虽然美国通过了旨在培养半导体产业的支援法案,但拜登政府还没有最终决策禁止向中国出口半导体设备,因此很难推测情况”。

也有人对过分的忧虑表示警惕。韩国业界认为,SK海力士需要EUV设备的适用第四代10纳米(1a)级工艺的DRAM目前在京畿道利川进行生产,但在中国还不是紧急状况。某位韩国财界相关人士表示,“虽然美国向中国施压的意志很明确,但这样发展下去,不仅是韩国,中国境内的英特尔、美光等美国企业和中国台湾台积电(TSMC)也会受到打击”,“只能彼此小心应对了”。

此前,路透社当地时间1日报道称,美国政府正在讨论限制向中国长江存储技术(YMTC)等中国国内存储芯片企业出口用于制造128层以上NAND闪存的美国产半导体制造设备的方案。路透社报道称,“如果强行实施该措施,三星电子和SK海力士将遭受打击”。但路透社补充表示,“拜登政府的讨论还处于初期阶段,目前还没有制定有关限制的草案”。

上个月29日,彭博社曾报道称,美国商务部向本国所有半导体设备企业发送了内容为“禁止向中国出口适用了比14纳米工艺更微细的加工技术的设备”的公文。

崔恩京(音) 李圣浩 记者
译 | 亓立男 校 | 李佳欣 责任编辑 | 刘尚哲 查看其它新闻
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zxc 2022-08-09 11:55:33
https://www.wsj.com/articles/paul-pelosi-husband-of-house-speaker-nancy-pelosi-arrested-for-drunken-driving-11653872104
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