三星电子利用极紫外(EUV)光刻工艺生产的业内精度最高的14纳米DRAM正式投入量产。分析认为，三星此举旨在利用领先于对手的工艺技术保持本公司在存储芯片上的“超大领先差距”战略。
三星电子10月12日宣布开始量产使用极紫外光刻工艺的14纳米DRAM。此前三星电子主要生产15纳米工艺的DRAM，在今年第二季度业绩发布大会上，三星电子就曾表示“下半年将把EUV工艺应用到14 纳米DRAM的五层结构”。三星电子存储芯片事业部的副总监韩镇万(音)自信地说，“将EUV工艺应用到14纳米DRAM中，可以增强产品的成本竞争力”。
市场调研公司Omdia近日发布的数据显示，今年第二季度三星电子在全球DRAM市场的份额为43.2%，是全球三大DRAM巨头中市场份额唯一比第一季度有所上升的制造商。在这种情况下，三星电子又成为业内唯一能够在14纳米DRAM中添加五个EUV层的企业。
EUV光刻设备可以利用光在硅片上刻画图形，利用这种技术可以制造出刻画出更精细的半导体电路，与当前广泛使用的ArF光刻设备相比，不仅可以降低不良率、提高产品性能，还可以缩小产品体积，使同一片晶圆能够生产更多半导体，同时随着产品体积缩小降低半导体的功耗。
三星电子表示，使用EUV工艺的14纳米DRAM具备业界最顶级的集成密度，与上一代产品相比，整体晶圆的生产率提高了约 20%，并可以降低近 20% 的功耗。三星电子首先将新工艺应用在最新的DDR5 DRAM中，该规格的DRAM比前一代DDR4 DRAM的速度快一倍以上，最近广泛被应用到数据中心、超级计算机和企业服务器等市场。
三星电子早早认识到EUV技术的重要性，提前作出投资布局，并在去年3月领先业界率先开始向客户供应EUV工艺的DRAM模块。根据芯片业界的说法，随着芯片技术的进化，工艺日臻精细，节约成本的难度越来越高。三星电子的相关人士说，“不同于以往差距达到0.5纳米级的1x、1y、1z代产品，预计从1a开始，代际之间的工艺差距将缩小到0.1纳米”。
芯片业界采取字母符号为20纳米以下级的DRAM命名，如1x(第一代)、1y(第二代)、1z(第三代)、1a(第四代)等。即便只有0.1纳米的差距，性能、晶圆集成度、成本也会拉开差距，使用EUV工艺可以大大提高产品的竞争力。
三星电子方面表示，“先进的EUV工艺保证我司能够长期具备技术竞争力和差别化的价格竞争力”，“未来将继续巩固我司在存储芯片领域的领军地位”。三星电子还计划今年下半年启动第七代176层V NAND消费类固态硬盘(DDS)产品的量产。
三星电子存储芯片事业部DRAM研发室长(专务)李周永(音)表示，“我们将凭借大容量、高性能、生产效率高的产品，为5G通信、人工智能(AI)、元宇宙等大数据产业提供最好的解决方案”。
