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中国自主研发32层NAND闪存明年起量产

崔贤珠 记者 | 2018.08.09 10:31写信给编辑
中国在存储芯片领域展开了空袭。在被视为半导体起源地的美国硅谷举行的半导体大会上,中国长江存储科技有限责任公司(YMTC)宣布,将从明年开始向市场供应32层三维NAND闪存(以下简称NAND),并公开了自主三维NAND量产技术。

中国长江存储8月7日(当地时间)参加在美国圣克拉拉会议中心举行的闪存峰会(Flash Memory Summit),公开了32层三维NAND样品。该公司表示,产品将从今年10月开始进行试投产,明年启动大规模量产。在此之前,长江存储曾在去年公开三维NAND技术,宣布将在一年后的今年年末启动量产。中国作为全球最大的存储芯片市场,中国企业宣布“自主生产”给全球存储芯片市场带来了巨大冲击。但当时业界普遍认为中国不可能轻易成功实现量产。

当时中国没有任何生产存储芯片的基础,长江存储又是一家2016年刚刚成立的新生企业。但现在看来,这家企业似乎要打破人们的预期,成立短短三年后就将向市场推出中国生产的存储芯片。长江存储是中国国营半导体公司清华紫光集团的子公司,得到了中国政府的补助和税收减免等全面支持。

业界认为,长江存储的技术已经发展到64层三维NAND闪存阶段。据了解,该公司正在试产64层三维NAND闪存并向本国IT企业供货。

具备记忆和储存功能的NAND和DRAM是典型的存储芯片,中国首先将目光盯向了存储芯片领域行业壁垒相对较低的NAND市场。现在三星电子和SK海力士主要生产第四代64-72层三维NAND闪存,与长江存储计划明年投产的第二代三维NAND闪存的市场需求不同。在NAND闪存产品中,层数越多,所需要的技术力量越强。

韩国国内半导体行业认为,虽然韩国半导体不会立刻受到打击,但到明年下半年市场也会受到影响。长江存储从公开32层三维NAND闪存技术到产品投产只用了1年半的时间,按照这个速度下去,该公司今年年初试产的64层三维NAND完全有望在明年年末投产。

业界认为,现在韩国在存储芯片领域的技术领先中国三至四年。长江存储计划投产的32层三维NAND闪存是三星电子2014年8月推出的产品。另外,三星早在2016年12月就开始量产64层三维NAND闪存,现在三星电子已经具备96层三维NAND闪存技术,SK海力士也已经具备72层三维NAND技术。

长江存储在本届半导体大会上公开了自主研发的“Xtacking”三维NAND闪存量产技术。该公司首席执行官(CEO)杨士宁表示“大部分企业产品的数据传输速度都在1Gbps左右,行业最顶级的企业也只有1.4Gbps”,“但我们使用Xtacking技术,传输速度可以达到3Gbps”,主张本公司产品的数据传输速度可以比行业最顶级的三星电子快一倍。

但是,专家们普遍认为这种技术很难真正实现。一般来说,生产NAND闪存需要1个晶元,但Xtacking技术需要两个晶元。这就意味着,Xtacking工程比普通工程耗费的成本更高。极东大学半导体设备工程学教授崔才成(音)表示“这种工程需要加入将两个芯片连接在一起的程序,不仅成本高,还会耗费更多的时间,很难实现批量生产”。

无论Xtacking技术具有多大可信度,中国在NAND闪存上的追赶速度都对韩国形成了威胁。专家们一致认为,韩国若想摆脱中国的追击保持世界第一的位置,就必须采取“超大差距”战略。汉阳大学电子复合工程学朴在勤教授表示“在以人工智能(AI)、5G、云技术等为代表的第四次工业革命时代,高性能和大容量存储芯片的需求将大大增加”,“为了把拥有强大资源的中国甩在身后,我们必须占领绝对技术高地,使其无从追赶”。

三星电子计划在京畿道平泽市投资超过30万亿韩元建造新的半导体流水线。SK海力士也计划投资15万亿韩元在京畿道利川市建造半导体工厂。

最近,三星电子存储器项目闪存开发室长(副总裁)庚界贤(音)表示“我们将扩大V NAND流水线,加速推动新一代存储芯片市场的变化”。

另外,它们还将强化与中小合作企业和学术界的合作。SK海力士实施了“技术创新企业”制度,通过成立专门工作团队(TF)向被列为技术创新企业的中小企业提供研发、制造和采购等支持;三星也在8月8日表示,将把产学合作规模从现在的每年400亿韩元扩大到一年1000亿韩元的水平。

韩国各大企业都正费尽心思拉开在存储芯片领域与中国的差距,同时,韩国政府也开始着手培育相对薄弱的非内存半导体。韩国产业通商资源部部长白云揆7月30日表示“我们将在未来10年投资1.5万亿韩元支持(半导体产业)”。

为此,韩国在7月31日成立“System Semiconductor设计援助中心”,计划对非内存半导体的技术开发、投资招商、市场营销等从创业到成长的全部过程提供全面支持。

韩国中央日报中文网 http://cn.joins.com

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