三星電子4日表示，將封裝8片閃存的“多層芯片”厚度降至1毫米以下，這在全世界範圍內尚屬首次。三星電子研發0.6毫米的8片多層芯片技術，用於32G閃存多層芯片。該多層芯片是厚750微米（0.75毫米）的12英寸晶片背面磨至15微米，並封裝該厚度的閃存。

現有的閃存厚度在1毫米左右。如果將新的加工技術用於1毫米厚的閃存，在維持厚度的同時，將容量增加至近兩倍，可以製作手機產品。鄭泰京（音）常務期待稱：“比起大容量多層芯片市場的主力產品，厚度和重量只有一半左右，0.6毫米的8片多層芯片將會在手機市場大受歡迎。”

三星電子有望通過此次的技術研發提高在現在50%以上占有率的手機內存綜合芯片市場的競爭力。半導體市場調查企業iSuppli預測稱，世界內存卡市場對2GB以上的大容量產品需求將從今年3億1000萬件增至2012年的7億7000萬件。

閃存（NAND FLASH）=保持記憶芯片內的數據，無需電力。雖然沒有DRAM反應靈敏，但是沖擊強。主要用於MP3播放器、數碼相機、手機和USB內存。

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