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三星電子去年第四季度在半導體領域獲利5萬億韓元

朴泰熙 李新天地(音) 記者 | 2017.01.07 12:24寫信給編輯
“以民族特有的堅韌精神與創造力為基礎,推進半導體產業的發展。”

1983年2月8日,當時的三星電子會長李秉喆為經營構想而停留在日本東京,其在闡明“自己開發存儲器”時提及的這句話被稱為“東京宣言”,而當天也正是韓國半導體登上全球電子行業頂峰的起點。74年前,東洋電視台理事李健熙雖收購了名為“未來食品”的韓國半導體公司,但在之後的9年間,公司發展只停留在生產外包零件的水平上。此外,美日兩大巨頭的設計技術實行徹底保密,並拒絕了技術合作請求。而在李秉喆會長發出“用我們的雙手自己開發”宣言後,公司開始集中投入人力和資金進行研發,情況隨之開始好轉。

以34年前為開端的三星電子半導體產業在去年第四季度收獲了巨額利潤。1月6日,三星電子公布了臨時業績報告,去年第四季度的營業利潤上升至9.2萬億韓元。三星電子營業利潤曾在2013年第三季度達到最高值10.6萬億韓元,時隔13個季度之後,營業利潤再次突破9萬億韓元大關,高於證券公司平均預測值一萬多億韓元。IBK投資證券分析員李升雨(音)表示,“更為令人吃驚的是,去年下半年,三星電子在未能銷售大屏幕手機的情況下依舊實現了業績的上漲”。業界將這一“盈利意外(Earnings Surprise)”的原因歸結到了半導體身上。據證券界估計,三星電子僅憑半導體項目便獲利4.5萬億-5萬億韓元,而三星電子在發表臨時業績時並未公開各部門業績。大信證券研究員朴康浩(音)表示,“事實上,全球市場中的智能手機和電腦內所用存儲器(DRAM,nand)半導體均為三星電子獨家供應。積纍了30餘年的技術開發成果正在半導體活躍期開始轉換為實際業績”。

去年第三季度,三星電子在全球DRAM市場的占有率首次超過50%,其中移動DRAM的市場占有率達到了64.5%。而Nand-flash內存的市場占有率也上升至36.6%,實現自2002年後連續15年蟬聯全球首位。在存儲器市場中,三星電子、SK海力士以及美國美光三分天下,至今未出現可與這三家公司一爭高下的競爭者,而裝備產業所需的天文數字般投資也使得進入該領域的門檻極高。三星電子也是憑借技術優勢在90多年前全球20餘家企業間展開的“膽小鬼博弈”中存活下來,才得以享受供應結構所帶來的紅利。

隨著中國智能手機和電腦行業接連推出新產品,以及物聯網(IoT)時代的到來,半導體需求開始大增並在近期進入活躍期。受全球供應不足影響,今年年末的DRAM價格較去年五月翻了近一番,Nand-flash內存價格也在同期上漲約35%。NH投資證券研究員李世澈(音)解釋稱,“預計物聯網開發需求會持續擴大,因此半導體行業的繁榮才剛剛開始”。分析指出,智能手機等IM(IT,移動)部門計劃通過Galaxy S7機型的多樣化戰略填補Galaxy Note7留下的空白,營業利潤恢復至2萬億韓元以上。顯示屏和生活家電也將分別獲得一萬億韓元左右的收益。

三星電子股價較前一天上漲3.2萬韓元(1.8%),收盤於181萬韓元。證券業認為,三星電子每股價格升至200萬韓元只是時間問題。Hi投資證券研究員宋明燮(音)分析稱,“三星電子今年的營業利潤或將達到45萬億韓元”。但業界也有觀點認為,在存儲器中,雖然DRAM進入了安全期,但Nand-flash內存的情況則會有所不同。有分析表示,在存儲器效益增加的同時,美國英特爾、日本東芝和中國清華紫光集團等也都同時做好大規模量產Nand-flash的準備,因此三星電子也不能一味樂觀。

韓國中央日報中文網 http://cn.joins.com/big5

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