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三星研發世界首款第五代V Nand投入量產

李尚載 記者 | 2018.07.11 10:34寫信給編輯
圖為三星電子研發的第五代Nand Flash試驗品,本月起已在京畿道平澤工廠投入批量生產。

三星電子正式開始批量生產第五代三維(3D)V Nand閃存。這是三星電子自2016年12月開始批量生產第四代256Gb Nand(如圖)後時隔1年零7個月再次升級的新一代產品。7月10日,三星電子發布公告稱將批量生產全球首款256Gb的第五代V Nand,該產品能夠更快地數據處理的同時和減少電耗。

三星電子還在第五代V Nand上首次使用了被稱為新一代Nand交界面的“Toggle DDR 4.0”規格。新產品的數據處理速度達到每秒1.4Gb,比第四代快40%。啓動電壓減少了33%(1.8→1.2V),數據使用時間(500微秒)也加快了30%。

第五代V Nand的“三維(圓筒形)CTF 存儲單元(Cell)”層數超過90多層。閃存的層數越高,在實現統一容量方面需要的芯片就越少。這個道理就等同於在相同的占地面積上,建高層公寓比建單獨住宅的利用效率更高一樣。現有的第四代閃存在平面基板上搭建了64層存儲單元。該公司將閃存從最上端到最下端垂直鑽出了數百納米直徑的細微小孔,大大提高了穩定性與效率性。

三星在京畿道平澤工廠生產第五代V Nand采取的方針是根據市場狀況增加供給量。考慮到東芝、WDC、鎂光等競爭公司是以第四代64~72層產品為主力軍,三星電子則是在“拉開差距”上取得了大成功。業界內評價稱,三星電子的該項突破比其他公司提前了大約兩年。中國計劃今年批量生產32層的3D Nand,相當於第二代閃存技術。根據市場調查機構——全球半導體觀察(DRAMeXchange)的資料顯示,三星電子在今年第一季度創下了37%的Nand Flash占有率。經預測,在Nand Flash的價格持續下降趨勢中,三星電子有望為保持該類產品的收益性做出貢獻。

該公司Flash開發室長景季賢(音)表示,“今後我們將通過一塊半導體芯片中儲存超過一萬億個信息的1Tb V Nand與一個存儲單元中含4bit的QLC產品擴大半導體產品陣容,主導市場變化”。



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